Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Описание
Общие характеристики
GTD Number | 10005030/301123/5031268/002 |
GTIN | 00000000000000 |
Cтрана-производитель | Филиппины |
Партномер | M425R1GB4BB0-CWM |
Высота (мм) | - |
высота(см) | 3 |
Габариты (мм) | - |
гарантия | 3 года |
длина(см) | 6.7 |
Дополнительная информация | - |
Количество контактов | 262 |
Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
масса(кг) | 0.01 |
Модель | M425R1GB4BB0-CWM |
Напряжение (В) | 1.1 |
Низкопрофильная | нет |
Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
Описание | Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung |
Поддержка ECC | Нет |
Поддержка Reg | Нет |
Потребление энергии | - |
Производитель | Samsung |
Пропускная способность (МБ/с) | 44800 |
Тайминги | - |
Тип модуля | SO-DIMM |
Частота (MHz) | DDR5 - 5600 |
Чип | - |
ширина(см) | 0.1 |
Основные характеристики
Вес (грамм) | - |
Тип оборудования | Оперативная память |
Цвет | - |
Прочие характеристики
Подсветка | нет |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
CAS Latency (CL) | - |
высота(см) | 3 |
длина(см) | 6.7 |
масса(кг) | 0.01 |
ширина(см) | 0.1 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
Row Precharge Delay (tRP) | - |
Количество чипов на модуле | - |
Компоновка чипов на модуле | - |
Линейка | - |
Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
Поддержка водяного охлаждения | - |
Радиатор | Нет |
Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
Наличие
Нет в наличии
6-15 дней доставка по России, г.Ижевск
тел: +73412567894
Нет в наличии
3-5 дней г.Ижевск, ул.Советская, д.9, г.Ижевск, ул.Советская, д.9
тел: +73412567894
Есть в наличии (50)
1-2 дня г.Ижевск, ул.Советская, д.9, г.Ижевск, ул.Советская, д.9
тел: +73412567894
Нет в наличии
Новости
Все новости
31 марта 2020
Карантин
21 февраля 2019
Виртуальная примерочная из Белорусии
15 января 2019
32K на каждый глаз